最后更新：2019-07-18点击数：79

厂    商中国 合肥科晶

型    号OTF-1200X

技术指标工作温度：950℃   l 最高温度：1000℃   l 推荐最快升温速率：60℃/sec   l 恒温区长度：100mm   l 控温方式：PC机可编程控制   l 恒温精度：±5℃   

应用领域

责任工程师

最后更新：2016-05-23点击数：77

最后更新：2016-05-23点击数：78

厂    商中国 沈阳和研

型    号DS616

技术指标C控制自动图像对准操作模式  l 加工尺寸：≤160mm×160mm或φ6″ 、切槽深度：≤4mm l 对准系统：70× 同 轴+环形照明  l 速度设定范围：0.1～400mm/s  l 工作台行程：240mm×170mm×30mm，转动：360°任意 

应用领域可精密切割材料包括硅片、砷化镓、铌酸锂、氧化铝、陶瓷、玻璃、石英、蓝宝石等

责任工程师

最后更新：2016-05-23点击数：338

最后更新：2016-05-23点击数：179

厂    商中国 苏州圆芯

型    号定制

技术指标衬底尺寸：最大3英寸，向下兼容靶位：3个2英寸(2个射频源；1个直流源)衬底温度：室温至800℃工艺气体：Ar、N2、O2，由MFC控制 

应用领域用于各种薄膜材料的溅射沉积

责任工程师黄春玉

最后更新：2016-05-11点击数：5511

厂    商德国PVA TePla

型    号IoN Wave 10

技术指标石英腔室：直径248mm，深245mm，体积11.3L配备O2和Ar两种工艺气体，MFC控制极限真空0.07mbar，工作压力0.5-1.5mbar2.45GHz微波电源，输出功率0～600w可调控制器选项：基于Windows操作系统的触摸屏界面提供全自动的控制多工步菜单，实时图形显示，多级别密码进入，数据记录以及所有等离子体参数的实时SPC（统计过程控制）监控自动工艺菜单或手动等离子体处理 

应用领域光刻或刻蚀工艺后去除光刻胶，或半导体生产中用于晶圆的清洁和等离子体预处理

责任工程师方芬珍

最后更新：2016-04-13点击数：5501

最后更新：2016-04-13点击数：5745

厂    商美国 VEECO

型    号DEKTAK 150

技术指标扫描长度：55mm  l 垂直测量范围：524μm(标准），最大可达1mm  l 台阶高度重现性6Å, 1σ在1μm台阶上  l 垂直分辨率：1Å(6.55μm范围)  l 探针压力：1~15mg，最小可达1mg  l 探针曲率半径：0.2~25μm  l 全自动样品台：最大4英寸样品，向下兼容；软件控制样品位置，精确定位    

应用领域主要用于膜厚测量、应力分析和表面形貌分析

责任工程师

最后更新：2016-04-13点击数：5405

厂    商日本 DNS

型    号VM-1220

技术指标 测量范围：1nm～20μm  l 重复性：3μm以下偏差小于0.1nm，3μm以上优于0.03%  l 样品可动范围：200mm  l 光斑：4μm  l 可同时测4层薄膜的厚度    

应用领域主要用于膜厚测量

责任工程师

最后更新：2016-04-13点击数：73

厂    商德国 Zeiss

型    号Imager. M1m

技术指标ICCS物镜：5 ×、10 ×、20 ×、50 ×、100 × l 目镜：10 × l 物镜转盘：研究级7孔明暗场自动物镜转盘  l 观察功能：反射光、偏光 l 光源：12V100W卤素灯，智能化光路管理器，光强色温自动可调  l 光学附件：目镜测微尺，台尺，各种滤色片 l Z轴聚焦：自动聚焦  l 数字化平台：配计算机和图像分析软件，实...

应用领域固体样品表面形貌的表征和测量

责任工程师

最后更新：2016-04-13点击数：5661

厂    商美国 West Bond

型    号7476D

技术指标纵向分辨率: 0.5625 inch  l 压力范围: 10 to 150 grams  l 超声功率: 4 W  l WIRE RANGE: 0.7 to 2.0 mils, 1x10 mil gold ribbon l WIRE SPOOL MOUNT: 0.5 inch with ball bearing rollers 

应用领域显微镜辅助下超细电线（金线、铝线）的焊接

责任工程师

最后更新：2016-04-13点击数：6649

厂    商德 国 Karl Süss

型    号MJB 4

技术指标汞灯光源：350W，350nm~450nm掩模板尺寸：5英寸×5英寸，向下兼容晶片尺寸：最大4英寸，向下兼容接触方式：真空、低真空接触, 硬接触，软接触和接近式对准方式：全手动正面对准，红外光及CCD反面对准最小线宽：0.8μm对准精度：±0.5μm

应用领域利用紫外光源，制作微米尺度的图形

责任工程师陈莉

最后更新：2016-04-13点击数：6918

厂    商美国 Intelligent Micro Patterning, LLC

型    号SF 100

技术指标汞灯光源：365nm，434nm镜头：3个（4倍、10倍、20倍）曝光精度：4倍镜头—5μm，10倍镜头—2μm，20倍镜头—1μm曝光方法：非接触式，区域曝光单个曝光区域最大：4倍：1.28×0.96 mm2；10倍：0.512×0.384 mm2；20倍：0.256×0.192 mm2 对准方式：可手动、自动对准图形尺寸：最大4英寸接收图形格式：JPEG、Bitmap、DXF(R12)和DWG(R14、LT98/97)特点：无需掩膜版，可通过画图、CAD等软件画出所需曝光图形

应用领域利用紫外光源，制作微米尺度的图形

责任工程师陈莉

最后更新：2016-04-13点击数：235

厂    商德国 FEI-Raith

型    号F50

技术指标加速电压5KV-30KV束流：5-600pA (根据不同的光阑需要)推荐硅片尺寸小于20mm×20mm极限曝光尺寸10nm，最小稳定可重复尺寸50nm最小套刻精度200nm 

应用领域利用电子束光源，制作纳米、微米尺度的图形

责任工程师邱凯