最后更新：2016-04-13点击数：11368

厂    商德国 Karl Süss

型    号Delta 80RC（热板Delta 6HP）

技术指标样品尺寸：最大4英寸，向下兼容，不规则片最小尺寸为10mm最高转速：4,000rpm(with Gryset)；7,000rpm(Open Bowl)最高加速度：5000/rmp（substrate dependent）最大样品厚度：4mm 热板：最高加热温度：150/200℃，精确度为±2℃@100℃加热功率：1000W程序设定时间范围：至999秒

应用领域在样品表面涂覆光刻胶等聚合物薄膜

责任工程师陈莉

最后更新：2016-04-13点击数：6910

厂    商日本 ULVAC

型    号CE-300I

技术指标ICP源：1000WRF源：300W样品尺寸：1片4英寸，向下兼容；工艺气体：CF4、CHF3、SF6、O2和Ar均匀性优于5％激光干涉式终点探测器

应用领域用于硅、氧化硅、氮化硅等硅基材料和有机物刻蚀，适用于多种具有高深宽比或高精细微纳结构与器件的制作

责任工程师方芬珍

最后更新：2016-04-13点击数：6151

厂    商中国 北京创世微纳

型    号IBE150

技术指标离子能量Ei=0 -1000eV离子束流密度峰值Jb≥0.7mA/cm2 台面直径：Φ150mm倾角范围：0°~ 90°±0.5°旋转速率：≥9rpm功能：刻蚀、表面抛光等功能

应用领域用于刻蚀较难刻蚀的物质及金属

责任工程师方芬珍

最后更新：2016-04-13点击数：184

最后更新：2016-04-07点击数：18

厂    商英国 Oxford Instruments

型    号Plasmalab system 80 plus

技术指标工艺气体：N2O, SiH4, NH3, N2    l 清洗气体: CF4/O2 混合气体   l 样品尺寸：最大8英寸,向下兼容   l 射频源：高频: 13.56 MHz；低频: 50~450 kHz   l 控温范围：室温至400℃  

应用领域可沉积氧化硅、氮化硅等材料，能够实现对沉积厚度的精确控制，还可以通过改变反应气体组分在一定范围内调节沉积薄膜的折射率

责任工程师黄春玉

最后更新：2016-04-07点击数：6581

厂    商美国 Kurt J. Lesker

型    号PVD75

技术指标衬底尺寸：最大4英寸，向下兼容坩埚尺寸：4个8cc蒸发源衬底温度：加热至800℃配备一个热蒸发源配备辅助沉积的离子束源工艺气体：Ar/O2，MFC控制配有膜厚仪实时对膜厚进行检测，实现对薄膜的厚度的精确控制 

应用领域可沉积各种金属材料包括难熔金属、绝缘材料的高纯度、高质量薄膜样品

责任工程师黄春玉

最后更新：2016-04-07点击数：11449

厂    商美国 Kurt J. Lesker

型    号PVD75

技术指标衬底尺寸：最大4英寸，向下兼容靶位：4个2英寸溅射电源：2个射频源；2个直流源衬底温度：室温至800℃工艺气体：Ar，由MFC控制

应用领域用于各种薄膜材料的溅射沉积

责任工程师黄春玉