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  • 匀胶机(含热板)

    最后更新:2016-04-13点击数:11368

    厂    商德国 Karl Süss
    型    号Delta 80RC(热板Delta 6HP)
    技术指标样品尺寸:最大4英寸,向下兼容,不规则片最小尺寸为10mm最高转速:4,000rpm(with Gryset);7,000rpm(Open Bowl)最高加速度:5000/rmp(substrate dependent)最大样品厚度:4mm 热板:最高加热温度:150/200℃,精确度为±2℃@100℃加热功率:1000W程序设定时间范围:至999秒
    应用领域在样品表面涂覆光刻胶等聚合物薄膜
    责任工程师陈莉
  • 电感耦合-反应等离子体刻蚀系统

    最后更新:2016-04-13点击数:6910

    厂    商日本 ULVAC
    型    号CE-300I
    技术指标ICP源:1000WRF源:300W样品尺寸:1片4英寸,向下兼容;工艺气体:CF4、CHF3、SF6、O2和Ar均匀性优于5%激光干涉式终点探测器
    应用领域用于硅、氧化硅、氮化硅等硅基材料和有机物刻蚀,适用于多种具有高深宽比或高精细微纳结构与器件的制作
    责任工程师方芬珍
  • 离子束刻蚀系统

    最后更新:2016-04-13点击数:6151

    厂    商中国 北京创世微纳
    型    号IBE150
    技术指标离子能量Ei=0 -1000eV离子束流密度峰值Jb≥0.7mA/cm2 台面直径:Φ150mm倾角范围:0°~ 90°±0.5°旋转速率:≥9rpm功能:刻蚀、表面抛光等功能
    应用领域用于刻蚀较难刻蚀的物质及金属
    责任工程师方芬珍
  • 酸碱腐蚀清洗台

    最后更新:2016-04-13点击数:184

    厂    商中国 北京华林
    型    号RCA、酸、碱
    技术指标RCA湿法清洗酸腐蚀碱腐蚀 
    应用领域样品的酸碱腐蚀、湿法清洗
    责任工程师黄春玉
  • 等离子体增强化学气相沉积系统

    最后更新:2016-04-07点击数:18

    厂    商英国 Oxford Instruments
    型    号Plasmalab system 80 plus
    技术指标工艺气体:N2O, SiH4, NH3, N2    l 清洗气体: CF4/O2 混合气体   l 样品尺寸:最大8英寸,向下兼容   l 射频源:高频: 13.56 MHz;低频: 50~450 kHz   l 控温范围:室温至400℃  
    应用领域可沉积氧化硅、氮化硅等材料,能够实现对沉积厚度的精确控制,还可以通过改变反应气体组分在一定范围内调节沉积薄膜的折射率
    责任工程师黄春玉
  • 电子束(热)蒸发系统

    最后更新:2016-04-07点击数:6581

    厂    商美国 Kurt J. Lesker
    型    号PVD75
    技术指标衬底尺寸:最大4英寸,向下兼容坩埚尺寸:4个8cc蒸发源衬底温度:加热至800℃配备一个热蒸发源配备辅助沉积的离子束源工艺气体:Ar/O2,MFC控制配有膜厚仪实时对膜厚进行检测,实现对薄膜的厚度的精确控制 
    应用领域可沉积各种金属材料包括难熔金属、绝缘材料的高纯度、高质量薄膜样品
    责任工程师黄春玉
  • 磁控溅射系统

    最后更新:2016-04-07点击数:11449

    厂    商美国 Kurt J. Lesker
    型    号PVD75
    技术指标衬底尺寸:最大4英寸,向下兼容靶位:4个2英寸溅射电源:2个射频源;2个直流源衬底温度:室温至800℃工艺气体:Ar,由MFC控制
    应用领域用于各种薄膜材料的溅射沉积
    责任工程师黄春玉
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