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电子束(热)蒸发系统
最后更新:2016-04-07
点击数:
6589
厂 商
美国 Kurt J. Lesker
型 号
PVD75
技术指标
衬底尺寸:最大4英寸,向下兼容坩埚尺寸:4个8cc蒸发源衬底温度:加热至800℃配备一个热蒸发源配备辅助沉积的离子束源工艺气体:Ar/O2,MFC控制配有膜厚仪实时对膜厚进行检测,实现对薄膜的厚度的精确控制
应用领域
可沉积各种金属材料包括难熔金属、绝缘材料的高纯度、高质量薄膜样品
责任工程师
黄春玉